일반기술
갈륨 비화물을 기반으로 한 태양광 에너지 발생 장치 제작
개발된 갈륨 비화물을 기반으로 한 태양광 에너지 발생 장치는 태양광 발전 장치에 적용하기 위해 설계되었다. 과학자들은 고체 용해 시스템 GaAs-InAs, GaAs-InP (GaAs 및 해외에서 수입한 기질 위에)의 단결정과 다결정 필름으로부터 다층 구조 제작 기술을 개발 하였다. 개발된 장치와 유사 기술을 활용한 장치는 세계적으로 개발된 적이 없는 것으로 알려져 있어 향후 신 개념 에너지 사업 경쟁에 있어 앞서 나갈 수 잇는 기회를 확보하고 있다. 개발된 제품의 모형 사진은 첨부 파일을 통하여 확인이 가능하다.개발된 Protovoltaic cell의 효율성은 20% 이상이며, Idling 전압은 0.95V 이상이다. 단락 전류 밀도는 26~27mA 이상이며, 상대 중력은 2,5~3kg/m2으로 경량화 되었으며, 설치 후 10년경과 후에도 전력 밀도는 100w/m2를 유지가 가능하여 사후 보수 및 유지의 문제에서도 유사 개발품의 특성을 능가하고 있다. 이상과 같은 동 개발품의 우수한 전기적, 기계적 특성으로 인하여 태양광을 이용한 설치 및 운전 원가가 절감되는 저렴한 전력 생산 및 온수의 생산하는 것이 가능하게 되었다. 또한 동 개발품은 우주에서 에너지원으로 활용이 가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 에너지·자원 > 태양(태양열·태양광) 에너지
- 보유기관
- 티알씨코리아
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2005-07-20
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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