일반기술

저전압 전자빔 시스템

본 기술의 대물렌즈는 고분해능과 저전압 전자빔을 얻을 수 있는 것으로, 종래의 스캐닝 전자현미경(SEM)에 사용될 수 있도록 설계제작된 것이다. 본 대물렌즈는 시료의 표면 전계를 최소화하기 위해 감속전극을 시료 바로 위에 두고 있으며, 검출부는 접지전극에 내장 되어있다. 감속부문은 a) 대물렌즈의 하강 및 b) 양호한 검출을 위한 2차전자의 가속이다. 전류게인(전류증폭도) 2100 및 17nm의 분해능을 가지며, 실리콘을 미세가공하여 만든 2차전자 검출부는 100eV의 랜딩(landing) 에너지로 달성될 수 있다.1. 초저 랜딩에너지 전자빔: 시료 손상과 시료에 가해지는 부하를 감소하고, 침투 깊이의 감소와 근접효과 달성.2. 시료 표면의 전계가 무시할 수준이고, 표면 정밀사진으로 인한 왜곡을 제거.3. 기존의 고전압 전자현미경에 별로 변형이 요구되지 않음: 시료 챔버에 간단히 추가하면 되고, 시료 스테이지만 재설계 요함.4. 감속전극은 10keV로부터 100eV까지 1차 빔의 에너지를 감소시키기 때문에 검출부 쪽으로 되돌아 오는 2차전자의 가속에 기여.