일반기술

비선형 임피던스 트랜스포머

본 발명의 기술은 스케일링된 L-C 섹션으로 이루어지는 비선형 임피던스 트랜스포머이다. 각 섹션의 임피던스는 입출력 임피던스의 값들 사이에서 로그눈금으로 스케일링된다. FET 드라이버는 비선형 임피던스 트랜스포머의 통합버전과 동일한 기판 상에 통합될 수 있다. 이런 경우, 제1섹션의 입력 입력 임피던스는 FET의 출력 임피던스로 설정된다. 각 L-C 섹션은 직렬의 인덕턴스와 전압 의존 가변 캐패시터를 구비하고, 각 섹션의 캐패시터는 역방향 Schottky varactor diode의 형태를 취하지만, 그 외의 다양한 형태를 취하는 것도 가능하다.본 발명에 따른 비선형 임피던스 트랜스포머는 다음과 같은 특징을 가진다. 1. 전력 트랜스퍼가 효과적2. 사이즈와 로스를 최소화3. 저속 입력 트랜지션 타임의 사용 가능.4. 디자인 이퀘이션(design equation)의 생성 가능5. 입력포트는 출력 임피던스를 구비한 신호원과의 연결6. 입력포트는 신호원으로부터 제1 및 제2 전압상태 사이에서 트랜지션을 가지는 스텝신호를 받음7. 출력포트는 입력 임피던스를 구비한 부하와 임피던스 트랜스포머를 연결