일반기술

실리콘 기판에 고온 초전도체를 증착하기위한 장벽층

본 발명은 고온 초전도 연결 및 초전도 마이크로웨이브 소자 및 리소네이터를 이용한 실리콘 집적회로에 관한 것으로, 실리콘 기판에 고온 초전도체를 증착하기위한 장벽층은 표면에 형성된 고온의 초전도층을 갖는 집적회로와 같은 실리콘 기판을 제공하기 위한 것이다. 본 발명은 또한 전자소자와 회로 응용장치에 필요한 기술적으로 양호한 특징을 갖는 상기한 초전도층을 실리콘 기판 상에 에피택시 형성하기 위한 방법을 제공하기 위한 것이다. 상기한 본 발명의 제조과정에 있어서, 초전도 물질의 에피택시 형성을 촉진시키기 위하여 장벽층이 사용된다.본 발명은 적어도 85°K에서 zero저항을 나타내는 실리콘 집적회로에서 사용될수 있는 고온 초전도 연결에 관한 것으로, YSZ(Yttria stabilized zirconia)를 이용한다. 단결정 실리콘 주표면을 세정하고, 상기 단결정 실리콘 기판의 주표면에 YSZ 버퍼층을 epitaxial 방법으로 형성한 후, 상기 버퍼층 상에 고온 초전도 물질을 도포한다. 전자소자와 회로 응용장치에 필요한 기술적으로 양호한 특징을 갖는 상기한 초전도층을 실리콘 기판 상에 에피택셜 방법으로 형성하기 때문에 공정이 간단하고, 또한 실리콘과 집적이 용이한 장법이 있다.