일반기술

광 상호접속 검출기를 위한 개선된 방법

본 기술은 갈륨비소(GaAs) 및 이와 관련된 화합물 반도체 광검출기를 실리콘 집적회로에 통합하는 방법에 관한 것이다. 이는 극소 정전용량의 회로 속에서 효율적인 광 상호접속을 가능하게 한다. 포토디텍터(photodetector)의 정전용량과 기타의 연결배선을 가능한 한 작게 하는 것이 고효율의 광 상호접속 생성의 핵심이다. 광 펄스를 전기적 신호로 변환하기 위하여 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 이종 결정구조를 이용하는 저온공정에 의해 고효율의 광 상호접속이 실리콘 베이스의 IC 위에 직접 증착된다.1. 광 상호접속 검출기에서 정전용량을 최소화2. 급격한 전압변화에 대비3. 정전용량 방전을 위한 도전경로가 없다는 것은 회로 입력에 전압이 잔류하고 있다는 의미.4. 생성된 캐리어의 수명보다 더 짧은 기간동안 광빔을 펄싱(pulsing)하고, 그리고 대략 1미크론의 기능적 높이까지 구조적 체적의 감소 및 이어서 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 내부 정전용량을 감소함으로서 높은 효율성이 확립하여, 정보 처리 시스템에서의 신호 전달의 안정성을 꾀할 수 있다.