일반기술

미세결함의 검출 방법

본 기술은 실리콘 웨이퍼 내에 존재하는 미세결함의 검출방법에 관한 것으로, 실리콘 웨이퍼 상에 존재하는 미세 결함을 정밀하게 검출할 수 있는 방법을 제공한다. 이러한 고감도의 방법은 1 내지 3분 동안 CuSO4, 5H2O 등의 금속염을 첨가한 묽은 플루오르화 수소산 속에 미세결함을 지닌 실리콘 웨이퍼를 탐지한다. 이렇게 하여, 실리콘 웨이퍼에 존재하는 미세결함에 금속을 선택적으로 증착함으로써 달성된다. 결함들만 선택적으로 코팅되어 “파티클 카운터” 등의 종래의 방법으로 용이하게 검출될 수 있다.◦ 1. 현재의 방법보다 더 미세한 결함까지 검출 가능하며, 따라서 수율을 증가 시킬 수 있다.◦ 2. 준비공정이 용이하고 방사성 동위원소보다 비용 저렴◦ 3. 서브 미크론 레벨로 집적된 반도체 소자용 실리콘 웨이퍼의 결함을 최소화 한다◦ 4. 플루오르화 수소산의 농도는 0.01 w% 내지 10 w%이고, 금속염의 구리이온의 농도는 10 ppbw 내지 100 ppmw이다◦ 5. 미세결함 위에 금속이 증착되게 하는 선택성의 제어는 실리콘 웨이퍼의 전위를 조정하여 이루어진다.