일반기술

나노 튜브 전자회로 제조방법

본 기술은 나노 튜브 (옵토) 전자회로를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 실리콘 카바이드 웨이퍼 상에서 성장되고 임의의 기판 상으로 트랜스퍼되는 (스탬핑되는) 카본 나노 튜브 회로를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 동일한 또는 다른 기판 상에서 동일한 마스터 실리콘 카바이드 웨이퍼를 이용하여 상기 제조방법을 여러 번 반복할 수 있다. 그라펜의 이중층 스트립을 패터닝된 실리콘 카바이드 웨이퍼 상에서 성장시키며, 에지를 나노튜브 및 접합에 자동 퓨징하고, 카본 나노 튜브들을 기판으로 트랜스퍼한다. 카본은 약한 결합인 반데발스 결합되어 복잡한 에칭 단계없이도 쉽게 트랜스퍼된다.일반적으로 접합, 트랜지스터 및 로직 장치를 만들기 위해서는, 나노 튜브의 카이랄리티(chirality) 및/또는 직경이 국지적으로 변경되어야하는데, 본 기술은 이러한 문제점을 해결할 수 있는 장점이 있다. 통상, 접촉 크기와 공진 문제점을 해결하기 위하여, 모든 나노 튜브가 이물질 없이 상호 연결되어야 한다. 또한, 웨이퍼 스케일 집적화를 위해 나노미터 분해능을 가지는 고속의 리소그래피 공정이 필요하다. 그리고, 밀도와 속도를 유지하면서 복잡한 로직 회로를 위하여 3차원 나노 튜브의 상호연결을 필요로 한다. 본 기술은 상술한 필요성을 충족시킬 수 있는 전자회로 제조 방법을 특징으로 한다.