일반기술

이온빔 시스템의 고전류 포커싱 구조

본 기술은 10나노앰프(nanoamps) 정도의 이온빔 전류를 생산하는 동안 0.1um만큼 작은 최종 빔 스팟을 생산할 수 있는 이온빔 시스템의 포커싱구조에 관한 것이다. 종래의 이온빔 포커싱장치는 마스크 수리를 위한 나노앰프 또는 피코앰프 전류를 가지지만, 본 기술은 전극의 두께와 플라즈마 전극내에서 틈새나 홀의 직경비율이 종래의 시스템에 의해 생산된 것보다 훨씬 더 큰 전류를 생산하기 위한 크기로 디자인되어 있으며, 추가의 전극이 가속을 위해 사용되어 포커스가 최종빔을 생산한다. 본 기술은 반도체 제조공정에 있어서, 필름의 스퍼터링과 도핑을 마스크없이 직접 행하는데 사용될 수 있다. 패턴은 전극이 빠져나가는 개별 이온빔 출구를 편향시키고 기판을 조작해서 만들 수 있다. 단일의 이온소스는 생산량을 증가시키기 위해 다수의 빔출구를 제조하도록 디자인된다. 이온빔 포커싱 시스템은 0.1.mu.m이하의 최종 빔 스폿 사이즈를 생산하고 이온빔은 주문 마이크로앰프상에서 전류를 생성한다.본 기술은 제1 및 제2 전극을 적절하게 배열함으로써 이온소스 밝기를 증가시킨다. 이때 제1 전극(플라즈마)은 전극두께와 구멍직경이 높은 비율을 가지도록 배열된다. 추가적인 가속기와 포커싱 전극들은 최종 빔을 제조하기 위해 사용된다. 20mm만큼 짧고 소형인 이온빔 가속 시스템을 제공함으로써 5개정도로 적은 수의 전극이 사용될 수 있다. 단일 이온소스를 가지는 다중빔 출구는 생산량을 증가시키는데 제조될 수 있다. 이온 빔 포커싱 시스템은 0.1 .mu.m이하의 최소 크기를 가지는 반도체장치의 제조를 위한 도핑과 나노리스그래피공정에 사용될 수 있다.