일반기술
잠재적인 광굴절 매체로서 나노미터 단위의 방사 유도 효과를 가진 반도체 구조
반도체의 전자 및 광학적 성질은 격자 결함의 존재에 의해 크게 영향을 받으며, 안정 성질을 가진 결함의 물리학과 잠재 재료 응용에 관심이 증가되고 있다. 이러한 결함은 적절한 조명과 난방 조합에 의해 하나 이상의 여기 전자상태로 역으로 놓을 수 있으며 이것은 높은 공간 해상도에서 광학적 영상을 포함하여 가역 자료 저장용의 안정적 결함을 포함한 반도체의 사용에 관해 기술적으로 중요한 측면을 제공한다. 목적 : (i) 전자 및 광전자적 성질, 기저상태/여기상태 변형 동력학, 전자 격자 상호작용과 안정 결함의 형성 기구에 관한 실험적 연구에 의하면 금속 유기 화합물(MOCs)과 수산화물로부터 와 후속 방사와 층 열처리에 의해 다양한 x 값 에피택셜(epitaxial) 퇴적의 GaAs와 Al(x)Ga(1-x)As 에피택셜 층의 성장이 나타난다.(ii) 근방 실내 온도에서 작동하는 고해상도를 가진 가열 광굴절 매체로서 그것의 잠재 응용을 위한 방사 유도 초안정 결함에 의해 결정되는 성질을 가진 기술적으로 귀중한 재료와 구조를 창조하는 분야에서 발전하는 것.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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