일반기술

펄스식 자석 형성용 원위치 마이크로컴포지트 Cu-Nb, Cu-Nb-X에 근거한 초강도 전도성 재료

Bochvar Institute는 70-100T 까지의 초고수준 자정을 가진 펄스식 자석 형성용 원위치 마이크로컴포지트 Cu-Nb, Cu-Nb-X에 근거한 초강도 전도성 재료의 제조 기술 개발을 수행하고 있다. 이 목적을 위해 복합 성분 분산의 정도 향상으로 인한 마이크로컴포지트 강도의 증가 기구에 관한 철저한 연구가 진행 중에 있다. 오늘날 펄스식 자석 권선에 적절하고1000Mpa 까지의 극한 인장강도와 60% IACS 이상의 전기 전도성을 가진 복합 도체가 가용하다.재래식 도체보다 더 높은 강도와 더 높은 전기 전도성을 가진 원위치 마이크로컴포지트의 설계와 기술 개발.

기술정보

기술분류
재료 > 기타 세라믹재료
보유기관
특허법인충정
기술유형
일반기술
등록일
2000-04-24
데이터 갱신일
정보 없음

상세설명

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