일반기술
펄스식 자석 생성용 원위치 마이크로컴포지트 Cu-Nb, Cu-Nb-X(여기서 X: Zr, Hf, Mn 등)에 기초한 고강도 전도 재료
Bochvar Institute는 70-100T 까지의 초고수준의 자장을 가진 펄스식 자석의 생성을 위한 원위치 마이크로컴포지트 Cu-Nb, Cu-Nb-X(여기서 X: Zr, Hf, Mn 등)에 기초한 고강도 전도재료의 제조기술 개발을 수행하고 있다. 이 목적을 위해 복합 부품의 확산 수준 증가로 인한 마이크로컴포지트 강도의 증가 기구에 관한 철저한 연구가 진행중에 있다. 오늘날 1000Mpa 까지의 극한 인장 강도와 60% IACS 이상의 전기 전도도를 가진 펄스식 자석의 권선에 적절한 복합 도체가 가용하다. 연구 결과에 기초하여 1400MPa와 65-70% IACS까지의 향상된 특성을 가진 복합 전도체의 개발을 진행중에 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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