일반기술

환경 안전용 유해가스의 금속 산화물 탐지의 이형구조 마이크로시스템

이형구조 형성의 결정적인 역할은 반도체 센서 금속 산화물에 어떤 금속 또는 금속 산화물을 가할 때 확립되었다. 첨가물 도핑(doping)은 금속 산화물 센서 성질의 변경을 위한 가장 효과적인 방법 중의 하나이다. 자료 분석에 의하면 가스 감지용 금속 산화물의 사용에 관한 많은 출간 보고서는 주로 경험적인 것이라고 나타났다. 많은 연구 단체의 노력에도 불구하고 그러한 재료의 가스 반도와 선택도에 관한 도핑 추가의 촉진기구 특성은 해결되지 않았다. Karpov Institute에서, 도핑된 In2O3에 기초한 두꺼운 필름 O3와 Cl2 센서의 유력한 실험 표본을 개발하였는데, 이것은 Cl2와 NO2의 존재 하에서(환경 적용의 주요 간섭) 목표 가스에 대한 고감도(1 ppb까지의 O3 ; 30ppb까지의 Cl2), 신속한 응답(3s)과 매우 높은 O3 탐지 선택도를 보인다. 기타 가스(H2, CO, C3H6 등)에 관해서도 유사한 결과를 얻었다.개발에 따라 고체 센서 성질이 환경과 산업용 가스 센서 적용의 요구조건에 일치하도록 잘 조정될 것이다.