일반기술

순수 내화 금속 규화물의 스퍼터링(sputtering) 목표의 제조

내화금속 규화물은 저저항 접점, 게이트 전극과, 마이크로 전자장치 내의 상호연결부에 매우 유망한 재료이다. 내화금속 규화물의 비전기 저항도는 VLSI 기술용 선택 재료로 권장할만큼 가장 중요한 기준이 된다. 현재, 얇은 교화물 필름을 생산하기 위한 두 가지 주요 기술을 사용한다. 첫 번째 기술은 고온 아닐링과 최종 MeSi-층 형성이 뒤따르는 얇은 금속과 실리콘 층의 침전물로 구성되어 있다. 두 번째 개술은 마그네트론 스퍼터링 동안에 내화 금속 교화물로부터 목표물의 사용으로 구성된다. 보통, 분체 야금술 방식은 그러한 교화물 목표물을 준비하는데 사용한다. 그러나, 이 기술은 원하는 순도를 제공하지 못하여 낮은 품질의 교화물 필름을 도출한다. 더구나, 그러한 분체 규화물 목표물은 낮은 열전도도 지수를 가진다. 이것은 필름 오염의 확률을 증가시키는 제한된 침전율을 초래한다.규화물 목표물은 다음과 같이 하는데 사용할 수 있다. -- 마이크로 전자공학의 얇은 필름 생산 ; - 포장 기술용 얇은 필름 생산.