일반기술
반도체 장치 설계용 홈표면식 직접 웨이퍼 결합 기술
반도체 장치 설계와 홈표면식 직접 웨이퍼 결합(SGDWB) 기술을 처음으로 개발하였다. 재해식 직접 결합은 특수 화학처리 후에 거울 광택식 평탄 웨이퍼 표면의 부착을 포함한다. 재래식 기법의 주 단점은 장치 특성을 해치는 결합 인터페이스에 중간규모 손상 구역의 형성이다. 신기술에 있어서는, 거울 광택식 규소 웨이퍼(그 중 하나는 홈식 정규 망을 가진다) 사이의 결합은 확장 인터페이스 손상 구역의 거의 완전한 제거와 함께 실현하였다. 본 혁신은 전위와, 자유 표면을 향해 움직이는 특수 경향으로 인해 웨이퍼가 홈에 의해 수집될 수 있다는 사실에 기초하고 있다. 그 결과, 홈 내 전위 꾸러미가 형성되는 반면에 홈 사이 공간은 전위로부터 거의 자유로워진다.MOS 장치, 고전력 장치, 센서와 마이크로 가공 구조물의 개발.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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