일반기술

SiO2에 끼워넣은 양자크기 광 방사 Si 결정의 이온 빔 합성

벌크(bulk)식 단일 결정 Si는 현재 다가올 미래에 열쇠를 쥘 위치에 있는 기본 전자 소재이다. 동시에, Si는 저방사성 재결합 확률로 인해 광전자적인 응용에의 사용에 제한을 받는다. 실온에서 다공성 Si로부터의 고강도 가시 방사선을 발견한 이래, 그러한 구조를 양자 제한 효과에 기초한 효율적인 광원으로서 사용할 가능성을 찾아내기 위한 세계적인 활동이 있어왔다. 나노미터 크기의 Si 구조 제작용의 각종 기술을 개발하고 시험하였으며 전체 가시 스펙트럼에서 광선 방사선을 얻었다. Si, 나노 구조를 형성하는 가장 유망한 방법은 SiO2 메트릭스로의 Si+ 이온 이식과 후속 아낼링에 의한 이온 빔 합성이다. 우리의 접근방식은 다음과 같은 특정 조건 하에서 자외선에서 적외선과 원적외선으로의 광선 방사의 완전 가시 스펙트럼을 얻을 수 있게 한다.광학적 정보처리, 대면적 평판 판넬 디스플레이, 광전자, 광원, 필터, 광증폭기, 반도체 광자 집적장치, 비선형 광학장치와 소재.