일반기술

마이크로 전자장치의 강유전체 박형 필름 구조

지난 10년간에 걸친 실험실 조건 하에서 수행한 연구결과로서, 규소 기반 집적회로 제조 기술과 호환성이 있는 RF 마그네트론 스퍼터링 방식과 졸-겔 방식을 사용하여, 각종 기질의 BaxSr1-xTiO3와 PbZrxTi1-xO3 강유전체 박형 필름과 그러한 기반의 박형 필름 구조의 침전 기술을 개발하였다. 본 작업의 직접 목적은 전기적 삭제 가능, 고속, 방사성, 임의 접근 비휘발성 강자성체 기억 집적회로와 비냉각식, 다원소의 초전기 IR 센서의 생산이다. 비휘발성 기억 집적 회로의 기대 파라미터는 다음과 같다 : 4-16kBit 집적수준, 3-5V 작동전압, 100ns 미만의 작성, 판독과 재작성 시간, 및 1012이상의 재작성 허용 사이클 횟수이다. 이러한 형태의 강유전체 메모리는 전자 신용카드와 무선 주파수 전력식 식별 태그(tag) 제조에 효과적으로 사용할 수 있어서, 보통 EEPROM 메모리 보다 10,000배 적은 에너지를 소비하고 고고도 비행체와 우주물체의 탁재장비용 강츄전체의 고유 방사성 경도를 고려하게 된다.