일반기술
강유전체 비휘발성 임의 접근 메모리
우리는 단일 급속 산화 강유전체 금속 산화물(MFM0 구조 내 전계 효과 트랜지스터를 가진 기억소자를 통합하는 강유전체 비휘발성 임의 접근 메모리(FRAM)의 개발을 제안한다. 본 메모리 소자는 비휘발성 저장이 강유전체 박형 필름 내의 잔존 극성화에 의존하는 박형 필름 강유전성 축전기로 구성될 것이다. 이것에 더불어, 잔존 극성화는 저자유 담체(carrier) 밀도를 가진 금속 산화물 필름이고 전계 효과 트랜지스터 채널로 작동하는 전극의 표면 전도를 제어하는데 사용한다. 따라서, 강자성 필름은 기억소자와 전계 효과 트랜지스터용 절연체 게이트의 양쪽 역할을 한다. 잔존 극성화 영향에 따라, 채널 전도는 크기 차순만큼 변경할 수 있다. 이러한 극성화 전도 의존도는 정보의 비파괴 판독용으로 사용할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 전기·전자기 기능재료
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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