일반기술

기본 신반도체 재료의 개발

결정 반도체의 비균질 변형상태 이론을 개발하였다. 이 이론에 근거하여 누적 변동 대역구조(일정 법칙에 따라 깊이와 함께 변하는 반도체의 금지 대역 폭)가 존재하는 기반의 에너지 대역 구조 내에서 비균질 반도체 구조(p+-n과 n+-p 접합점)의 전류 전압 특성(CVC)을 처음으로 이론적으로 연구하였다. 이 경우에 압력의 기능으로서 포화 전류는 몇 차순의 크기(특히 게르마늄용 10^6-10^7배) 만큼 증가한 것으로 나타났다. 이들 연구 결과를 사용하여 외부 영향(압력, 온도, 힘, 속도, 가속도 등)에 훨씬 더 민감하고 유사 기존 반도체 장치와 비교하여 크기면에서 훨씬 더 적은 반도체 결정(p+-n 접합점, Schottky 다이오드, 트랜지스터 등)을 배양할 수 있다.반도체의 요구 성질을 제공하는 도핑 프로파일의 계산에 의하여 예정된 에너지 대역 구조를 얻을 것이다. 기본 신형의 반도체 결정(p+- 접합점, Schottky 다이오드, 트랜지스터 등)의 개발과, 이 기반에 의한 압력, 힘, 온도, 속도, 가속도 등의 초감도 초소형 센서의 구축.