일반기술
단일 결정 GaAs에 기초한 박형 필름장치의 경제적인 기술
보통, 장치 구조 반도체 산업의 준비에 사용하는 단일 결정 기질은 Czochralski Bridgman 방식으로 미리 배양한 벌크 결정으로 생산한다. 귀중한 단일 결정 재료의 폐기물은 주괴를 기질로 절단하고 연마 및 폴리싱한 후에 너무 크다. 비용 절감과 반도체 장치의 파라미터 개선에 관한 최선의 결정은 기질로부터 별도로 자발적인 에피택셜(epitaxial) 장치 구조를 활용하는 것이다. 제안 기술은 해당 초기 기질을 사용한 작은 양의 Al을 가진 Sn(Bi, Pb)로부터 액체상태 에픽택시(epitaxy) 공정 동안에 어떤 반도체 A^3B^5 화합물(GaAs, GaP 등)의 자유 단일결정 필름의 성장 현상에 기초하고 있다.신기술은 다양한 장치(LED, 레이저, 다이오드, 광탐지기, 턴널 다이오드와 기타) 장치용 마이크로 및 광전자 장치에 적용할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전자부품
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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