일반기술

음이온빔 주입장치

본 기술은 자기보호막과 전자제거수단이 구비된 음이온주입장치에 관한 것이다. 음이온이 이온발생장치를 빠져나가도록 충분한 직경을 이탈구멍을 가즌 음이온 발생수단과; 부정극화(negatively-charged)된 파티클을 추출하는 수단과; 상기 이온발생수단 와부에 위치되는 전자제거수단; 자계 보호수단 및 빔 이송수단을 포함한다. 본 기술에서의 음이온 소스는 세슘의 사용없이 강력한 이온을 생산하기 위해 제조된다. 추출된 이온을 수반하는 전형적인 2차 전자는 가속의 초기단계에서 영구자석에 의해 상기 빔이 경사져 제거되고, 자기보호막을 형성한다. 이에 따라, 영구자석으로부터 이온 소스로 자계가 침투하는 것이 최소화된다. 이것은 음이온의 생산과 소스로부터의 추출에 대하여 가질 수 있는 자계의 파괴효과를 감소시킨다. 따라서, 추출기내에서의 빔 확장의 선택에 따라 최종 빔이 강력하게 한곳에 집중된다.본 기술에 의한 음이온 주입장치는 소형이면서 효율이 우수한 음이온빔 소스에 의하여 전자의 오염없이 강력한 이온빔이 제조되어 이동되고, 포커싱을 맞출 수 있다. 특히, 음이온 소스로부터 추출된 이온을 수반하는 전형적인 2차 전자는 가속의 초기단계에서 영구자석에 의해 상기 빔이 경사져 제거되고, 자기보호막을 형성하게 된다. 이에 따라 이온 빔으로부터의 전자를 효과적으로 차단할 수 있으며, 이온추출 마그네트가 이온 발생을 방해하지 않으므로, 각 용도의 필요에 따라 포커싱을 맞출 수 있게 된다.