일반기술

이온주입장치를 위한 RF구동 플라즈마 소스

본 기술은 비규칙적인 형상을 갖는 전도성 물체에 이온을 주입하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 타겟에 가해지는 일정한 전기 바이어스를 사용하되, 전압강하를 최소화하며, 타겟을 과열시키지 않으면서 깊이를 조절할 수 있도록 비규칙인 형상의 물체에 이온을 주입하는 맥동화된 플라즈마 주입장치에 관한 것이다. 상기 타겟에 가해지는 전압을 맥동화하는 것 대신에 플라즈마 소스 예를들면 텅스텐 필라멘트 또는 RF안테나가 맥동화될 수 있다. 상기 타겟에는 전기전도성 및 절연성 물질이 주입될 수 있다.본 기술에 따른 RF도입 플라즈마 시스템은 다음과 같은 특징이 있다. 1. 깨끗하고, 불순물이 주입된 낮은 등급으로 분류된 텅스텐과 같은 음극물질없이도 제조될 수 있어 새로운 무선 주파수(RF) 도입 플라즈마 발생 시스템에 적용이 가능하다. 2. 자동차 엔진에서의 표면마모와 부식을 감소시키며, 의료기구의 강도를 크게 할 수 있다. 3. 비규칙적인 형상의 물체에 적용할 수 있다.4. 제어공정효율을 높일 수 있다.5. 다른 시스템보다 더 깨끗한 RF 플라즈마를 발생할 수 있다.6. 특히 상기 주입이온은 쉽게 제어될 수 있어 타겟은 과열되지 않는다.