일반기술

반도체 장치를 위한 이온빔 선택장치

본 기술은 높은 이온화 전위를 갖는 원하지 않은 이온종들을 배제하기 위해 추출될 수 있도록 이온을 선택하는 이온소스 선택기술과, P.sup.+ from PH.sub.3와 같은 혼합물로부터 선택된 이온들을 생산하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 플라즈마 챔버, 전자소스, 전자소스로부터 추출된 전자에 의해 이온화되어지도록 가스를 도입하는 수단, 전자소스로부터 선택된 이온종의 이온화에너지와 원치 않는 이온종의 거대한 에너지 사이의 값까지 전자에너지를 제한하는 수단; 상기 플라즈마 챔버로부터 목표이온종을 추출하는 수단을 포함한다. 본 기술에서, 상기 전자는 플라즈마 챔버에 인접하여 있는 플라즈마 캐소드 챔버내에서 발생된다. 소형 추출기는 플라즈마 캐소드 챔버로부터 비교적 양이온을 발생하는 플라즈마 챔버내로 전자를 끌어들인다. 상기한 방식으로 추출된 전자에너지는 쉽게 제어된다.본 기술은 본질적으로 원하지 않은 수소 이온을 제거하되, 추가로 질량분광계를 사용하여 빔으로부터 발생된 CO+, CO2+, 및 H2O+와 같은 이온 불순물들을 제거하는 공정을 없앴다. 이러한 이온 소스는 원하지 않은 불순물이 제거된 빔을 발생시킬 수 있으며, 반도체 제조공정 및 반도체 장치에서 실리콘의 양이온 도핑에 적용할 수 있다. 특히, 본 기술은 수소, 헬륨, 물, 탄산이온없이 P.sup.+, AS.sup.+, and B.sup.+을 가진 실리콘 도핑에 사용할 수 있다.