일반기술

전이금속 질화물의 화학 기상 증착 공정

본 기술은 전이금속 질화물(Transition Metal Nitrides)의 화학 기상 증착(CVD: chemical vapor deposition) 공정에 관한 것으로써, 낮은 온도(최적으로는 섭씨 200도)에서 화학 기상 증착에 의해 티타늄 질화물(TiN) 박막을 증착하기 위한 공정을 제공한다. 낮은 온도에서 수행되기 때문에, 티타늄 질화물(TiN)은 유리, 비트리우스 카본(vitreous carbon), 마일라(Mylar)와 같은 온도에 민감한 기판 상에 증착될 수 있다. 표준 화학 기상 증착 장비가 대기압에서 대략 100 nm/min의 속도로 막을 증착하는 데 사용된다.본 기술에 따른 방법은, 전이 질화물 금속(Transition Nitride Metal)의 일반 화학 기상 증착(standard CVD)시 요구되는 기판 온도를 상당히 낮출 수 있다는 장점을 가지고 있다. 증착 결과 형성된 막은 전도성과 내마모성이 우수하며, 잘 긁히지 않으며, 산과 염기에 화학적으로 강하며, 또한 탄소/산소불순물(carbon- and oxygen- impurities)이 낮으며(<1 wt%), 표면에 대한 이온충격(ion bombardment)을 이용하지 않고 우수한 접착성을 얻을 수 있다.