일반기술
다이아몬드 필름의 P-N 접합
"다이아몬드 필름의 p-n 접합 형성을 위하여, 이중층 다이아몬드 필름은 화학적 증기 침전 (CVD) 방식에 의하여 얻을 수 있다. 이 방식에서 기체 혼합물 2H6 CH4 H2를 사용한다. 첫 번째 층은 동위원소 B-10에 의해 보강된 diborane B2H6를 사용하여 얻으며 두 번째 층은 동위원소 B-11에 의해 보강된 B2H6를 사용해 얻는다. 개발한 이중층 패킷(packet)은 열 중성자에 의해 방사된다. 첫 번째 층에서는, 방사된 핵반응 10B(n,α)^7 Li가 방생하는 반면에 Li는 n-형 다이아몬드를 생산한다. 동위원소 B-11로 보강된 두 번째 층은 중성자에 관해 투명하다(p-형 다이아몬드). Li와 B의 구조와 전기적 성질은 저장할 수 있으며 방사된 패킷은 2-3시간 동안에 T≤100℃로 어닐링(annealing) 할 수 있다. "본 방식에 기초하여 각종 장치와 계기를 생산할 수 있다(예를 들어, p-n-p 또는 n-p-n 트랜지스터).
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-04-24
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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