일반기술

격자 미스매치된 기판 상에 GaN박막을 형성하는 공정

본 기술은 GaN 박막의 막질을 제어하는 진전된 방법을 제공한다. 사파이어와 같이 격자 미스매치(mismatched)된 기판 상에 양질의 GaN 에피텍셜층이 성장되도록 금속 액체인 Ga의 버퍼층이 최적화된다. 본 기술의 새로운 버퍼층은 GaN막의 전기적 또는 구조적 특징을 개선시킨다. 이러한 새로운 금속 액상 Ga 버퍼층은 GaN 소자 기술에서 주 장애물을 제거하는데 도움을 주고, 전류 밀도 및 소자 개발 기술에 도움을 준다. 부가적으로, 이러한 금속 Ga 버퍼층은 고온(1000K 또는 MBE (Molecular Beam Epitaxy)에서는 그 이하 온도)에서 GaN 주요 박막의 연속적인 2차원 핵생성 조건을 제공한다.본 기술은 기판 상에 III족 금속의 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 III-N(nitride)막을 형성하는 방법을 특징으로 한다. 예를 들어, 본 기술에 따른 GaN 성장은, 에피텍셜 공정에 의해 생성되는 GaN 박막의 개선된 전기 또는 구조적 특성을 개선시킴과 동시에 격자 구조가 잘 맞지 않은 기판 상에서도 사용될 수 있다는 잠정이 있다. 또한, III-N족 박막 성장 공정에 있어서도 본 기술의 Ga버퍼층의 사용이 기대될 수 있는 효과가 있다. 이러한, 본 기술의 GaN막은 1)평판 디스플레어 2) 전계효과트랜지스터(FET) 3) 청색 및 그린 반도체 레이저 4)청색 및 그린 발광 다이오드에 적용이 가능하다.