일반기술

전자장치 구축용 내방사성 반도체 재료의 개발

반도체 재료와 그것을 기반으로 한 장치는 우주, 원자로 등과 같은 극한상태에서 널리 사용하는 것이 잘 알려져 있다. 불행하게도, 이것은 방사선 하에서 작동하지 못한다. 예를 들면, 규소와 비화갈륨의 전기적 성질은 빠른 중성자 방사 하에서 10^6-10^8의 차수로 변한다. 실험실에서 내방사성 재료의 구축에 관한 새로운 원리를 만들어냈다. 전자공학에 매우 중요한 LnP-InAs 반도체 고체 용해물에서 방사선 변화는 2개의 반대방향에서 발생한다는 것을 보인다. 합금 합성물의 정확한 형태에 의하여 상기 방사선 결함이 서로 다른 것은 보완하는 재료를 얻을 수 있다. 그 결과, 재료성질은 강하고 빠른 중성자 유동 F=2 10^18n/㎠에 의한 방사 후에도 현저하게 변하지는 않는다. 이 경우에 이 재료는 아직 결정질이며 무정형화를 거치지 않으며 대형 금속 함유물을 내포하지 않는다.얻은 재료는 잘 알려진 예에 비교할 때 더 내방사성을 갖는다. 동일한 것에 기초하여 태양전지, 광저항기, 온도계, 전자 저항기와 열 발전기와 같은 장치를 생산할 수 있다. 이들 장치는 원자력 발전소, 핵원자로, 가속기 등의 구역에 열린 공간에서 작동할 수 있다.