일반기술

고품위 지에이엔 단결정 기판의 제조방법

활성 질소가스를 성장도가니측으로 유입시킴에 의해 GaN 단결정을 형성시키는 성장용 기판 형성과정과; 상기 기판형성과정에서 형성된 GaN 단결정의 미러(mirror)면을 성장면으로 하고, 기판의 온도를 1020℃∼1050℃로 유지한 후 HVPE법을 이용하여 상기 성장용 기판 상면에 GaN 단결정층을 형성시키는 단결정층 형성과정과; 상기 단결정층 형성과정 후, 상기 기판 형성과정에서 형성된 성장용 기판을 제거시키는 성장용 기판 제거과정;을 포함하여 구성되는 고품위 GaN 단결정 기판의 제조방법을 기술적 요지로 한다.활성 질소가스를 성장도가니측으로 유입시킴에 의해 GaN 단결정을 형성시키는 성장용 기판 형성과정과; 상기 기판형성과정에서 형성된 GaN 단결정의 미러(mirror)면을 성장면으로 하고, 기판의 온도를 1020℃∼1050℃로 유지한 후 HVPE법을 이용하여 상기 성장용 기판 상면에 GaN 단결정층을 형성시키는 단결정층 형성과정과; 상기 단결정층 형성과정 후, 상기 기판 형성과정에서 형성된 성장용 기판을 제거시키는 성장용 기판 제거과정;을 포함하여 구성되는 고품위 GaN 단결정 기판의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 기술특징으로는 기판형성과정에서 형성된 GaN 단결정의 미러(mirror)면을 성장면으로 하고, 기판의 온도를 1020℃∼1050℃로 유지한후 HVPE법을 이용하여 상기 성장용 기판 상면에 GaN 단결정층을 형성시키는 단결정층 형성과정이다.