일반기술

반도체에서 비선형 광학 웨이브 프로세스의 수학 모델링

본 프로젝트의 목표는 반도체 특성의 새로운 비선형 종속성에 기초하여 광학적 반도체 장치를 모델링하는 것이다. 사용 방법은 반도체와 조사중인 프로세스의 컴퓨터 모델링과의 레이저 방사의 상호작용을 설명하는 진화적 부분 미분 방정식의 적절한 시스템의 수학적 분석이다. 전자장 강도에 기반한 free charge carrier 이동성의 비선형 종속성에 기초한 광학적 쌍안정 장치를 구축할 가능성이 조사되었다. 수학 모델링은 광학적 쌍안정 시스템의 여러 불안정성의 발생을 조사하기 위해 수행될 것이다. 우리의 연구 그룹은 free charge carrier의 수명의 온도 종속성에 기초하여 새로운 유형의 광학적 쌍안정성을 발견했다. 이 쌍안정성은 흡수 쌍안정성보다 훨씬 더 높은 온도에서 저절로 나타난다.프로젝트 조사는 다음과 같은 문제를 설명하기 위한 기회를 제공한다. - 전자장 강도에 기반한 free charge carrier 이동성의 비선형 종속성에 기초한 광학적 쌍안정 장치를 구축할 가능성- 광학 쌍안정 흡수 시스템에서 단계 불안정성의 개발에 대한 회절(diffraction)의 영향- charge carrier 수명 농도와 온도에 따라 달라질 때 광학 쌍안정 반도체 시스템에서 확률론적 프로세스의 자연과 동력학