일반기술

슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐

본 기술은 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정용 소모품인 슬러리의 공급량을 줄이면서도 웨이퍼상에 매우 균일한 연마면을 형성할 수 있는 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐에 관한 것이다.반도체 소자의 고속화와 고집적화에 따라 소자의 최소선폭은 64M DRAM : 0.25㎛에서 256M DRAM, 1G DRAM : 0.18㎛, 0.15㎛으로 감소하고 있다. 이러한 레벨의 리소그라피를 위해서는 웨이퍼 표면의 평탄화는 필수적인 조건이다. 웨이퍼 평탄화를 위해서는 SOG(Spin On Glass), etch-back법이 사용이 되나, 이러한 평탄화 기법은 0.25㎛이하의 선폭에는 한계점이 있다.종래의 공급방식에서 과도한 슬러리의 공급에 의하여 웨이퍼 전면에 균일 유동장을 형성시키게 되어 실제 공정에 적용되는 슬러리는 공급량의 일부일 뿐 아니라 슬러리의 재활용이 불가능하여 처리비용이 증가하고 환경오염의 우려가 있게 된다.반도체 공정용 소모품인 슬러리의 공급량을 줄이면서도 웨이퍼상에 매우 균일한 연마면을 형성할 수 있는 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐을 제공한다.이에 따라 반도체 공정용 소모품인 슬러리의 공급량을 줄이면서도 웨이퍼상에 매우 균일한 연마면을 형성할 수 있는 효과가 있다.회전하는 테이블의 패드 상에 안치되는 웨이퍼에 노즐을 통해 슬러리를 공급하고 헤드로 가압하여 기계화학적으로 연마하는 장치에 있어서 슬러리를 공급하기 위한 노즐은 상방향의 입구측 직경(D)에 비하여 하방향의 출구측으로 갈수록 폭(W)이 일정 비율로 증가하고 두께(t)가 일정 비율로 감소하는 원추형 내부공간을 구비하는 것을 특징으로 하는 슬러리 균일유동을 위한 공급분사 유닛의 노즐이다.