일반기술
Ti-Si-N계 경질코팅막의 증착방법
본 발명은 Ti-Si-N계 경질코팅막의 증착방법에 관한 것으로서, 본 발명의 증착방법은, 금형, 공구 등이 설치된 챔버내에 진공을 가하고 가열하는 제1 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스를 유입하고 바이어스를 인가하여 상기 금형, 공구 등을 세정하는 제2 단계와, 상기 챔버내로의 Ar가스 유입을 차단하고 상기 챔버내를 재차 진공을 가하고 가열하는 제3 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스 및 N2가스를 유입하고 바이어스를 인가하는 제4 단계 및, 상기 AIP법을 사용하는 Ti 타겟과 상기 스터퍼법을 사용하는 Si 타겟에 전원을 각각 인가하여 상기 금형, 공구 등의 표면에 Ti-Si-N계 경질코팅막을 증착하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 증착방법은 AIP법과 스퍼터법의 하이브리드 공정을 통해 복잡한 형상을 갖는 금형, 고속도공구나 초경합금공구 등에 균일한 표면 도포성을 갖는 초고경도의 Ti-Si-N계 경질코팅막을 증착할 수 있다.아크 이온 플래팅(arc ion plating)법과 스퍼터(sputter)법을 통해 금형, 공구 등의 표면에 Ti-Si-N계 경질코팅막을 증착하는 방법에 있어서, 상기 공구, 장비 등이 설치된 챔버내에 진공을 가하고 가열하는 제1 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스를 유입하고 바이어스를 인가하여 상기 금형, 공구 등을 세정하는 제2 단계와, 상기 챔버내로의 Ar가스 유입을 차단하고 상기 챔버내를 재차 진공을 가하고 가열하는 제3 단계와, 상기 챔버내에 Ar가스 및 N2가스를 유입하고 바이어스를 인가하는 제4 단계 및, 상기 아크 이온 플래팅법을 사용하는 Ti 타겟(target)과 상기 스터퍼법을 사용하는 Si 타겟에 전원을 각각 인가하여 상기 금형, 공구 등의 표면에 Ti-Si-N계 경질코팅막을 증착하는 제5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ti-Si-N계 경질코팅막의 증착방법.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 금속재료
- 보유기관
- 부산기술이전센터
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2005-08-29
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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