일반기술

반응고(Semi-solid) 공정 기술

본 기술은 교반에 의한 전단력이 입자의 가지를 잘라서 입자를 미세화하는 방법이 아닌, 온도의 균일 분포에 의한 핵생성 밀도의 증가 방법을 이용한 입자의 미세화 방법이다. 지금까지 액상의 교반은 핵생성에 영향을 미치는 않는 것으로 인식했으나, 본 발명의 전자기 교반법을 이용하면 온도와 농의 분포가 일정하게 되어 핵이 액상전체에서 동시에 발현되고 국부적으로 과열된 액상에 의한 핵의 소멸을 막을 수 있기 때문에 액상선위에서 액상선까지 또는 고상율 0.4되는 곳까지 전자기장을 걸어주는 방법을 이용하여 미세한 입자를 얻을 수 있다. 본 기술로 얻은 입자의 크기는 평균 25㎛에서 50㎛의 크기를 갖는다. 또한 교반에 걸리는 시간은 1/2 이하로 단축시킬 수 있어 경제적으로 상당한 이점을 갖는다. 도입기술이 Pechiney보다 20배이상, UBE 보다 10배 빠름본 기술은 교반에 의한 전단력이 입자의 가지를 잘라서 입자를 미세화하는 방법이 아닌, 온도의 균일 분포에 의한 핵생성 밀도의 증가 방법을 이용한 입자의 미세화 방법이다. 지금까지 액상의 교반은 핵생성에 영향을 미치는 않는 것으로 인식했으나, 본 발명의 전자기 교반법을 이용하면 온도와 농의 분포가 일정하게 되어 핵이 액상전체에서 동시에 발현되고 국부적으로 과열된 액상에 의한 핵의 소멸을 막을 수 있기 때문에 액상선위에서 액상선까지 또는 고상율 0.4되는 곳까지 전자기장을 걸어주는 방법을 이용하여 미세한 입자를 얻을 수 있다. 본 기술로 얻은 입자의 크기는 평균 25㎛에서 50㎛의 크기를 갖는다. 또한 교반에 걸리는 시간은 1/2 이하로 단축시킬 수 있어 경제적으로 상당한 이점을 갖는다. 도입기술이 Pechiney보다 20배이상, UBE 보다 10배 빠름