일반기술

다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법

본 발명의 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 따르면, 기판의 종류나 결정방향에 관계없이 원하는 형상의 실리콘 다이아프램이나 이를 이용한 압력센서를 정확하게 제조할 수 있는 효과가 있다.본 발명은, n형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘기판에 1018/cm3 농도의 n+ 불순물을 확산시켜 상기 기판 상면의 소정 부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와: n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 : 적어도 폴리머(polymer), 메탈페이스트(metal paste), SOG(siliconon glass)중 어느 하나의 밀봉물로 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은, n형 실리콘기판을 제조하는 단계와: 상기 실리콘기판에 1018/cm3 농도의 n+ 불순물을 확산시켜 상기 기판 상면의 소정 부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와: n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키는 단계와: 상기 n형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키는 단계와; 불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계와: 상기 다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하는 단계 및 : 적어도 폴리머(polymer), 메탈페이스트(metal paste), SOG(siliconon glass)중 어느 하나의 밀봉물로 상기 통공을 밀봉하는 단계를 포함하는 다공질실리콘을 이용한 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다.