일반기술

기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법

본 발명에 따른 산화막의 형성방법은 종래 여타 산화막 형성방법에 비해 값싸고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 발명의 방법에 의해 얻어진 산화막은 특히 FED(field emittion display)나 파워디바이스(power device)등과 같은 높은 전압이 요구되는 소자의 절연막으로 활용하거나 실리콘 마이크로웨이브 집적회로의 제조시 전기적인 분리층이나 기판재료로 이용하기에 이상적이라고 기대되어 진다.본 발명은, n형 실리콘기판에 선택적으로 n+ 불순물을 확산시켜 상기 n형 실리콘 기판의 상면 소정부분에 n+ 확산영역을 형성하는 단계와; 양극반응을 수행하여 상기 n+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계 및; 상기 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법에 관한 것이다.따라서 본 발명의 방법에 의해 얻어진 산화막은 특히 FED(field emittion display)나 파워디바이스(power device)등과 같은 높은 전압이 요구되는 소자의 절연막으로 활용하거나 실리콘 마이크로웨이브 집적회로의 제조시 전기적인 분리층이나 기판재료로 이용하기에 이상적이라고 기대되어 진다.