일반기술
고분자 필름 기판의 기능성 박막 형성 기술
○ 최근 전 세계적으로 플라스틱 기판을 이용한 유기 TFT 및 OLED 등 디스플레이에 대한 연구가 활발히 이루어지면서, 이들 소자의 안정성에 대한 연구 역시 활기를 띠고 있다. 특히 유기 TFT의 경우 대기 중에 존재하는 수분 및 산소에 의해 그 특성이 크게 변화되어 안정적인 소자 특성을 얻기 위해서는 고기능성의 보호막이 필수적이며, 또한 유기물의 경우 온도에도 매우 민감한 반응을 하는 것으로 알려져 있어 이에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있음○ Princeton University에서는 최근 Spherical Dome을 이용한 실제 TFT 소자에서의 Bending stress에 대한 이론적인 연구 및 실험 결과를 발표하였는데, 이는 단순한 다층 박막 수준이 아닌 복잡한 구조에서의 Bending stress에 대한 효과로 보다 실제에 근접한 결과임.○ 본 기술은 고분자 필름 기판의 기능성 박막 형성 및 특성 평가 및 보호막을 이용한 소자 특성 평가 기술로, 플라스틱 필름의 투습율 측정은 주로 Mocon Test를 이용하게 되는데, 10-3 g/m2·day 이하에서는 기존의 Mocon Test가 불가능하여, Ca Test를 이용하여 투습율을 측정하는 방법에 관한 기술임.(444A2002)○ Passivation용 필름 형성 기술- 보호막 특성 향상 : 표면 경도 > 3H- Micro-Crack 감소 및 기계적 특성향상 (초기 대비 10% 이하)- Bending에 따른 Crack 증가방지 : Bending diameter 10mm 시Crack Density 증가방지(초기 대비 10%이하)- 보호막을 이용한 소자 특성 평가 - 유기TFT 소자 등을 이용한 보호막 특성 평가○ 보호막 특성 향상을 위한 고기능성 박막 재료 선정 및 박막 형성 기술 : 고기능성 박막재료 선정 (PI, SiON) - 공정온도 : 120℃ 이하 - 광투과도 : > 90% (@ 550 nm) - 표면 경도 > 3H - 투습율 : 0.3 ~ 0.7 g/m2·day (PC/SiON) < 10-3 g/m2·day (PC/PI/SiON/SiO2)○ Micro crack 감소 기술 및 기계적 특성 향상 기술- Micro crack 방지를 위한 보호막 구조 설계 및 기계적 특성 향상 - PI, SiO2 등의 유기/무기 다층 구조를 통해 Micro crack 발생 억제○ Bending에 따른 crack 방지 기술 : 다층 구조에서의 Bending stress 분석 및 bending 테스트- PI, SiO2 등의 보호막 구조에 따른 stress 분석- 보호막의 두께에 따른 stress 변화 분석- Island pattern을 이용한 다층 구조 stress 분석- crack density : 14 per island (기존) 0 ~ 1 per island (PI 보호막 적용), bending diameter : 10 mm○ 보호막을 이용한 유기 소자 특성 평가 및 분석 기술 : 유기 TFT용 보호막 특성 평가 및 분석 기술- 유기 TFT의 degradation에 대한 기초 기술- PI, SiO2, Parylene 등을 이용한 유기 TFT용 보호막 재료 특성 분석 기술
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 전자부품
- 보유기관
- 전자부품연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2005-09-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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