일반기술

Probe Card 용 Probe Tip Array 제작 기술

○ 본 기술은 MEMS 기술을 이용한 고집적 반도체 등의 성능평가용 Probe Array 개발 기술임.- 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화에 따라 칩의 패드 수는 증가하고 패드 간의 간격은 축소되고 있는 실정이며, 현재는 반도체 소자의 검사를 위하여 수작업으로 제작된 에폭시 니들 타입의 프로브를 사용하나, 패드 간격이 65㎛ 이하가 되면 사용할 수 없음- 마이크로머시닝 기술을 이용하면 ㎛ 수준의 구조물을 용이하게 제작 할 수 있으므로, 이를 이용하여 65㎛ 이하의 패드 간격에 대응할 수 있는 Probe Card 제작하여 반도체 소자의 고집적화 및 대용량화에 대응하고자 함(446A0553)▶ 기술사양○ MEMS 기술을 이용한 고집적 반도체 등의 성능평가용 Probe Array 개발 Probe tip pitch : < 60㎛, 접촉저항 : < 0.2Ω, 주파수특성 : 1㎓ 대응, Para 수 : 64 EA, Tip 평탄도 : 10 ㎛(max.)○ 256M DRAM 측정용 16para Probe Tip Array의 설계 및 해석 - 수직 굽힘 구조형 (외팔보형, Form Factor형, 수직단차구조형, 경사단차구조형) - 비틀림 구조형 (독자구조)○ 수직단차 구조형 제작 - Cu를 희생층으로 이용하고 Ni을 도금하여 구조 제작○ 비틀림 구조 Probe Tip Array 제작 - Nagative thick PR을 이용하여 pattering하고 Ni을 도금하여 구조 제작을 제작하며, Cu를 희생층으로 이용하여 다층공정 수행○ Tip 부분 표면 경도 향상을 위한 Ni-W 도금 공정 개발 - 저응력 Ni-W 도금 공정 개발을 통한 Ni/Ni-W 밀착력 향상