일반기술

실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법

*원리 및 구성본 기술은 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각(ICP-RIE)의 하부전극 물질을 이용하여 실리콘 카바이드 메사 형상에서 측벽의 각도를 조절하는 것으로서, 특히 석영(SiO2), 알루미나(Al2O3), 양극산화 알루미늄(anodized Al)을 사용하여 메사 측벽의 각도를 조절하는 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법에 관한 것이다.본 기술은 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 조절하는 방법에 있어서, (a) 석영(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 또는 양극산화 알루미늄(anodized Al) 중 어느 하나를 이용하여 하부전극 물질을 형성하고, (b) 위의 (a) 단계를 통해 형성된 하부 전극 물질을 사용하여 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 각 공정변수에 따라 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.*개발배경SiC를 이용한 MOSFET이나 JFET등과 같은 반도체 디바이스, 특히 V형태의 MOSFET를 제작할 때 MESA 형상의 측벽 조절이 어려워 금속화 공정이나, 산화막 공정이 제한적이었다. 본 기술은 고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각(ICPRIE)의 하부전극 물질을 이용하여 SiC 메사 측벽의 각도를 조절하여 위에 기술된 문제를 해결하였다.*중요성 및 독창성하부전극물질로 석영, 알루미나, 양극산화 알루미늄을 형성하여 공정변수에 따라 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 조절할 수 있다.*응용분야반도체 소자의 산화규소 다비이스에 적용할 수 있는 기술이다.*특징 및 장점고밀도 플라즈마 반응성 이온 식각(ICP-RIE)의 하부전극으로 사용하는 물질에 따라 SiC 메사 측벽의 각도조절이 가능함으로써 SiC MOSFET이나 JFET 등을 제작시 금속화 공정이나 산화막 공정이 용이하여 다양한 형태의 SiC 디바이스 제작에 유용하게 사용할 수 있다.