일반기술

유기발광다이오드 및 이의 제조방법

본 발명은 애노드, 케소드, 및 애노드와 케소드 사이에 개재된 발광층을 구비하고 상기 캐소드와 상기 발광층사이에 금속 질화물 및 금속산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나이상의 물질을 포함한 전자주입층이 개재된 유기 발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것임 상기 유기발광다이오드는 우수한 전기적 특성을 갖는바, 이를 이용한면 신뢰성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을수 있음............................................................................................................................본 기술은 TOLED 의 제작에 있어서 중요한 과제중의 하나인 정공주입전극 또는 전자주입전극으로부터 발광층으로의 정공 또는 전자주입능력의 개선임. TOLED, ITEOLED의 배면 전극으로서 각각 Ag.Al이 주로 사용되는데 이를 각각 TOLED, ITEOLED의 애노드 또는 캐소드로 사용할 경우 전극과 유기물층과의 전자주입장벽이 커서 정공또는 전자주입능력이 떨어짐.. 이런 문제를 개선하기 위해 본 발명은 금속질화물 및 금속산화물 중 하나이상을 포함하는 전자주입층을 구비한 유기발광다이오드 및 이의 제조방법을 제공