일반기술

TiN막 표면의 ECR 플라즈마 전처리를 포함한 RuO2 증착방법

*원리 및 개요본 기술은 화학적 이전 처리 단계와 RuO2의 증착 단계 사이에 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마 이전 처리를 수행하여 TiN 막을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 RuO2의 증착방법에 관한 기술이다.*중요성 및 독창성1) 본 기술에서 수소 또는 아르곤 ECR 플라즈마의 노출시간은 1～3 분이 바람직하며, 아르곤 ECR 플라즈마의 노출시간은 2 분이 가장 좋으며, 이때 핵생성이 가장 많이 된다.2) 아르곤 플라즈마 전처리는 매우 적은 노출시간에도 매우 효과적이다. 최적의 플라즈마 노출시간의 측면에서 볼 때 수소 플라즈마 이전의 처리에 비해 더 좁은 범위의 공정 단위를 갖는 것을 알 수 있다. 3) 수소 플라즈마 전처리의 경우 노출시간이 증가함에 따라 RuO2의 핵생성밀도가 증가하여 최대치에 이른다. 노출시간 3 분 이상에서 핵생성 밀도의 최대치를 계속 유지한다.4) 산소 ECR 플라즈마 전처리는 RuO2 핵생성을 막는 역할을 하였다.*특징 및 장점1) TiN 막 표면에 아르곤이나 수소 플라즈마 이전 처리를 수행함으로써 TiN막 표면의 산소와 질소원자를 제거하게 되며, TiN막 위에 더 쉽게 핵이 생성되어 쉽게 RuO2 막을 얻을 수 있다. 2) RuO2는 다양한 특성으로 주목할 만한 관심을 보이고 있는데 그 이점으로 보면, - 매우 뛰어난 캐패시턴스와 수명이 길기 때문에 고전압, 고에너지 밀도의 전기화학적 캐패시터에 대한 우수한 전극재료 - VLSI에서 RuO2 박막의 다양한 응용과 연구 - 고밀도의 DRAM과 VNRAM 소자에서 비휘발성 또는 고유전율 얇은 막 저장방식의 캐패시터에 대한 전극물질로 연구등으로 응용분야가 넓어지고 다양한 시장을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.*응용분야 본 기술은 반도체 업체와의 협력을 통하여 사업화를 진행하거나, 본 기술이 반도체 박막 장비 기술을 보유하고 있는 반도체 장비업체에 대한 기술이전을 통하여 사업화 진행이 필요할 것이다.