일반기술

다공질실리콘을 이용한 반도체 장치의 제조방법

*원리 및 구성다공질실리콘을 이용한 실리콘 다이아프램의 제조방법에 관한 것으로, 1)N형 실리콘기판을 제조하고, 2)실리콘 기판에 n+불순물을 확산시켜 상기 기판의 소정의 부분에 n+ 확산영역을 형성하고, 3)n+형 실리콘 에피택셜층을 성장시키고, 4)n+형 실리콘 에피택셜층에 통공(through-hole)을 형성하여 상기 n+확산영역중 소정부분을 노출시키고, 5)불산(HF)용액에서 양극반응을 수행하여 상기 n+확산영역을 다공질실리콘층으로 형성하고, 6)다공질실리콘층을 에칭하여 에어-갭을 형성하여 전술한 통공을 밀봉한다.*개발배경본 기술은 기판으 결정방향에 관계없이 임의 형상을 가지는 다이아프램 또는 압력 센서를 정확하게 제조하는 방법을 제공함에 있다.*중요성 및 독창성기판의 종류나 결정방향에 관계없이 원하는 형상의 실리콘 다이아프램이나 이를 이용한 압력센서를 정확하게 제조가 가능하다.*응용분야본 기술은 가속도센서, 진동센서 등의 조에 사용되는 반도체 장치의 제조방법으로 응용가능하다. 또한, 압저항에 응력이 인가되면 저항값이 변화되고, Ni/Cr/Au 금속층을 도선으로 하여 저항값을 읽어들여서 압력을 측정하게 할 수 있어, 촉각센서의 용도로도 응용될 수 있다.*특징 및 장점-기판의 결정방향에 관계없이 임의 형상을 가지는 다이아프램 또는 압력 센서를 정확하게 제조가 가능하다.