일반기술
다공질 실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법
*원리 및 구성미세구조물을 제조하는 마이크로머시닝 방법에 관한 것으로, 1)n형 실리콘기판을 세척하여 실리콘산화막을 성장시킨 후 뒷면의 실리콘산화막을 제거하고, 2)n+ 확산층이 형성될 부분의 실리콘산화막을 제거하고 인(phosphorus)을 확산시켜 n+ 확산층(3)을 형성하rh, 3)정전류원으로 양극반응시켜 상기 n+ 확산층을 다공질 실리콘층으로 만들고 실리콘산화막을 제거하고, 4)다공질 실리콘층위에 ZnO 또는 Ni-Cr/Au를 스퍼터링하여 박막을 증착하고, 5)증착된 박막을 사진식각법으로 패터닝하고, 6)노출된 다공질 실리콘층을 선택적으로 식각하여 동공(cavity)을 형성하여, 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극 반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태로 특정크기의 미세구조를 제조 가능하다.*개발배경원하는 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극반응 시키고 그 위에 박막을 증착한 후에 미세구조부를 형성하고 다공질 실리콘 층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의 형상의 공간을 정확히 제어하여 다양한 형태로 원하는 크기의 미세구조물을 제조하는 다공질 실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법을 제공하는데 있다.*중요성 및 독창성마이크로머시닝 방법에 의하면 소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태의 특정크기의 미세구조를 제조함으로써 독립적으로 미세구조물을 제조가능한 기술이다.*응용분야다양한 형태로 원하는 크기의 미세구조물을 제조하는 다공질 실리콘상의 박막을 이용한 마이크로머시닝 방법에 적용 가능하다.* 특징 및 장점-소자가 들어갈 부분만 선택적으로 양극반응시키고 그 위에 박막을 증착한 후 미세구조부를 형성하여 다공질 실리콘층만을 식각함으로써 원하는 부위에 임의형상의 공간을 정확하게 제어하여 다양한 형태의 특정크기의 미세구조를 제조할 수 있는 효과가 있다.- 여러가지 기능성 박막으로 미세구조를 만들어 낼 수 있을 뿐만 아니라 다른 집적회로 소자의 제조에 영향을 주지 않고 완전히 독립적으로 미세구조물을 제조할 수 있는 장점이 있다.
기술정보
- 기술분류
- 화학 > 기타 유기화학
- 보유기관
- 대구기술이전센터
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-05-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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