일반기술

실리콘 가속도 센서의 제조방법

본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 제조 방법은 마스크 패턴에, 메스의 높이를 C로 했을 때, 메스의 각변이 일치하는 네 귀퉁이의 모서리 점에 각 변의 폭이 메스 높이의 두배의 폭을 가지는 사각형의 보상 패턴을 그 중점을 C에 대해 10퍼센트 이내의 범위 내에서 상기 모서리 점에 일치시키고, 상기 보상 패턴의 각 변의 폭을 2C로 결정하도록 한다.이러한 본 발명에 의하면, 목적하는 형태 메스를 성공적으로 형성할 수 있게 된다.본 발명은 실리콘 가속 센서의 제조 방법에 관한 것으로서 메스(Mass)의 모서리에 언더컷이 발생하는 것을 억제할 수 있는 실리콘 가속도 센서의 제조 방법에 관한 것이다.실리콘 가속도 센서는 진동, 충격, 가속도 등의 물리량을 전기적 신호로 감지하는 센서로서 집적회로 기술을 이용하여 초소형화, 초경량화로 제작되어지고 있다. 이러한 가속도 센서는 자동차, 비행기, 선박등 각종 수송 수단, 그리고 공장 자동화 및 로봇 등의 제어 시스템에 있어서 필수적인 소자이고, 그 소자의 적용 및 활용 분야의 가능성은 무한하다.반도체 집적회로기술에서 미세가공(micro-machining) 기술은 실리콘의 이방성이나 불순물 농도 차이 등을 이용하여 웨이퍼 상에 구멍, 홈, 피라미드형과 같은 여러 가지 형상의 기계소자를 조리할 수 있게 하였다(Silicon diffused element piezoressitive diaphragms, J. Appl. Phys., vol. 33, no. 11, 1962,Fabrication of novel three-dimensional micro-structures by the anisotropic etching of(100) and(11) silicon, IEEE Trans. on Electron Devices, vol. ED-25, no. 10, 1978).이상과 같은 미세가공 기술은 힘, 압력, 가속도 센서 제조 등에 이용되고 있는데, 화학용액에 의한 실리콘의 식각법은 1950년대 초에 시작되었으나, KOH 수용액을 이용한 식각법은 1967년 웨지너(H. A.Waggener et al.) 등이 처음 보고하였다. 그리고 1970년대 말부터 비인(K. E. Bean)에 의해 실리콘 이방성 식각에서 가장자리의 언더컷팅(undercutting)에 대한 보상법과 보상구조에 관한 연구가 되어 왔다.