일반기술

배기가스 중 황산화물의 제거장치

일반적으로 가스층 다공판형 배연탈황 장치 및 방법과 배기가스 처리를 위한 기-액 접촉장치에서는 다수의 가스분출공이 천공된 단일 단의 가스 분산판을 사용하여 가스분산판 하부에 도입되는 배기가스의 압력에 의하여 가스분산판 하부에 가스층이 형성되고 가스분출공을 통하여 가스가 분출되도록 함으로써 가스분산판 위에 미세 기포로 이루어진 기포층이 형성으로 되어 있었다. 기포층 형성에 따라 높은 위치에너지를 가지게 되는 분산판 상부의 기-액 혼합물이 적정높이로 설치된 다수의 V홈을 가지는 월류판을 넘어 액 하강부로 월류되면 액 하강부와 기포층 사이에 수두차가 발생하게 되고, 이 수두차가 분산판 상부와 하부의 흡수액이 연속적으로 순환되도록 하는 추진력으로 작용하게되어 별도의 순환펌프가 없이 가스분산판 상하부의 흡수액이 액 상승관과 액 하강관을 통하여 매우 빠른 속도로 순환되도록 하였다.본 기술은 흡수탑의 상부에 전단세정기의 역할을 할 수 있는 슬러리 분사장치를 설치하고 가스유도관을 통하여 반응기 하부로 잘 내려갈 수 있도록 흡수탑의 상부공간에 위치하고 있는 배기가스 유도관의 도입부 형태를 깔때기 구조로 구성되어 분무된 슬러리가 흡수탑 상부공간 바닥에 침적되지 않도록 함과 동시에 액 분무식 흡수탑의 장점과 가스분사식 흡수탑의 장점을 살리면서 기-액 접촉효율을 최대화 할 수 있도록 장치를 구성하여 배기가스 중의 황산화물을 효과적으로 제거한다.본 기술은 흡수탑의 배기가스 도입부 아래에 배기가스의 냉각과 더불어 기-액 접촉에 의한 1차 흡수반응을 유도하는 분사노즐을 설치하고 그 아래 배기가스 유도관과 1차 가지관, 2차 가지관을 현가하는 한편, 2차 가지관과 액 상승관이 연통되고 다수의 가스 분산공이 천공된 가스분산판을 월류판의 수위선 아래에 수평으로 설치한 구성으로 이루어 진다,이와같은 구성으로 이루어진 본 기술은 흡수탑의 상부공간에 위치하고 있는 배기가스 유도관의 도입부가 깔때기 형상으로 이루어져 있기 때문에 상부공간에 슬러리가 침적되지 않으며, 배기가스 유도관이 가지관으로 연결될 때마다 직경은 1/2로 감소되고 개수는 4배씩 증가되도록 하여 배기가스 유도관에서의 배기가스와 흡수액 슬러리가 혼합된 혼합물의 유속은 항상 일정하게 유지시킬 수 있다.