일반기술

쌍극자 전위 장벽을 갖는 전계효과 트랜지스터

본 기술은 초고주파용 집적회로 및 고속 디지틀 집적회로 응용에 있어서 비선형 특성의 감소와 전달특성을 향상시킬 수 있는 금속반도체 전계효과 트랜지스터(FET)에 관한 것으로, 특히 초고주파용 선형 증폭기와 고속 디지틀 집적회로용 기본 소자인 쌍극자전위장벽을 갖는 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로서, 최근에 사용되는 집적회로들은 그 동작 주파수가 매우 높은 영역에서의 응용이 요구되고 있으며 이를 위하여 짧은 게이트를 갖는 FET의 개발 및 연구가 활발히 진행되어 오고있는데, 짧은 게이트는 집적도가 동작 주파수를 높이는데 가장 직접적인 요소가 된다.종래의 금속 반도체 전계효과 트랜지스터는 반절연 기판 상에 완충층과 반도체층을 형성하여 이루어지는데, 이 반도체층은 완충층 상에 형성된 채널층과 채널층 상에 형성된 캡층으로 구성된다. 그리고 캡층 상에 소오스 전극, 쇼트키(Schottky) 게이트전극 및 드레인 전극을 각각 형성한 구조를 갖는다.본 기술은 높은 포화전류를 가지면서 선형특성이 양호하고, 불순물의 농도가 낮은 채널영역을 형성시켜, 그 채널영역에서 전자를 효과적으로 제한함으로써 전달특성, 특히 전달 콘덕턴스와 주파스 특성이 향상된 쌍극자 전위 장벽을 갖는 전계효과 트랜지스터를 제공하는데 그 목적이 있다.본 기술은, 반도체층 내에 채널을 형성하여 인가된 전위에 의해 전류를 흐르게 하는 전계효과 트랜지스터에 있어서, 반도체층 영역내의 하부에 형성되되 반도체층과 동일한 불순물 형태의 높은 불순물 농도를 갖으며, 채널 영역에 전하를 공급하기 위해 형성되는 제1불순물 도핑층과 제1불순물 도핑층 하부에 소정의 간격을 두고 형성되되 제1불순물 도피층과 다른 불순물로 도핑되어 전하의 이동을 제한하기 위한 높은 전위장벽을 형성하는 제2불순물 도핑층을 포함하고 있는 것을 그 특징으로 한다.