일반기술
미세형 관통 구조의 가공 방법
본 발명은 미세한 형상의 투과형 홀(hole)이나 홈(groove)과 같은 관통형 구조 등을 가공하기 위한 가공방법에 관하여 개시한 것으로서, 본 발명에 의한 가공방법의 특징에 따르면 주로 반도체 제조공정에서 이용되고 있는 석판술(Lithopraphy)과, 통상적인 도금기술을 이용하여 원하는 형상과 치수의 미세형 관통구조를 가공한다. 즉, 금속 또는 전도성 박막을 포함하는 실리콘 웨이퍼 및 세라믹재로 된 기판 위에 감광막을 증착하고 가공형상이 형성되어 있는 마스크를 이용하여 노광 및 현상과정을 거쳐 소정 부위의 감광막을 제거하고, 그 부위에 도금막을 형성한 다음, 잔류된 감광막의 제거와 동시에 기판으로부터 도금막을 분리시켜 원하는 형상의 미세형 관통 구조를 얻을 수 있도록 한 것이다.이러한 본 발명의 가공방법에 의하면 다양한 형상의 미세한 관통형 구조를 예컨대, 미크론 이하 단위의 극미세 가공으로 정말하게 행할 수 있고, 또한 가공 효율이 우수하여 높은 양산성을 얻을 수 있는 장점을 가진다.금속 기판 상에 감광제를 도포하여 소정 두께의 감광막을 형성하는 제1단계와; 소정 형상이 가공되어 있는 마스크를 이용하여 상기 감광막을 노광시키는 제2단계와; 상기 마스크를 제거하고 노광된 부위를 현상하여 가공형상 이외의 부분에 형성되어 있는 감광막을 제거하는 제3단계와; 상기 제3단계에서 얻어진 결과물의 감광제 제거부위에 소정 금속의 도금막을 형성시키는 제4단계와; 상기 가공형상 부분의 제거되지 않은 감광제를 제거하여 미세 관통 구조를 형성하는 제5단계와; 상기 기판과 상기 도금막을 분리시키는 제6단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세형 관통 구조의 가공방법.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 삼성전자(주)
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2006-03-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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