일반기술

높은 센싱 감도를 갖는 자기저항체

본 기술의 높은 센싱감도를 갖는 자기저항체는 기판상의 버퍼상층에 비자성체 층과 자성체 층이 여러 겹으로 쌓인 적층 구조로서, 이러한 적층 구조의 비자성체 층과 자성체 층간에 불연속적인 자성체 층을 가지게 된다. 이렇게 본 기술의 자기저항체는 앞서 언급한 바와 같은 구조를 가지므로, 자기저항 센서가 다층구조의 인공초격자를 이용하여 조성되어 자기저항의 값을 높게 유지함과 동시에 포화 자장값을 하강시키어 높은 센싱 감도를 갖게 된다. 기존의 자기저항체의 구조는 자성체와 비자성체를 교차하여 적층한 다층구조로 이루어졌다. 즉, 우선 기판 Si층 상에 Fe(80Å) 버퍼층을 만들고 그 상부에 비자성체인 Cu층과 자성체인 Ni층을 번갈아 쌓는 과정을 반복하여 자기저항체를 만들었다. 그리고 대개 Ni층 및 Cu층의 두께는 각각 20Å로 쌓을 때 비교적 양호한 자기저항체를 만들 수 있었다. 이렇게 형성된 자기저항체는 포화자장 300(Oe), 자기저항 2% 정도의 자기저항체 값을 나타내었다. 그러나 앞서 언급한 방식에 따라 만들어진 기존의 자기저항체는 높은 수준의 정보를 감지하는 것이 여의치 않았다. 하지만, 본 기술의 자기저항체는 새로운 인공초격자를 이용하여 불연속적인 자성체 층을 가지는 구조로, 자기저항을 높게 유지하는 것은 물론 포화자장을 낮게 유지함으로서, 충분한 정보감지 능력, 즉 상당히 높은 수준의 센싱 감도를 갖는 자기저항체이다.