일반기술

할바크 배열을 응용한 고온초전도 저널베어링

본 기술은 할바크 배열을 응용하여 축 방향과 반경 방향으로 자화된 원환형 자석을 회전체 축 주위에 반복적으로 배열 삽입하여 회전자 저널 외곽으로 강한 자기장이 발생하도록 함으로써, 축 재료의 자성에 대한 제약과 조립상의 난점을 해결함과 동시에 반경 방향으로 강한 자기압력을 얻을 수 있고, 베어링 고정자에 고온초전도체와 자석을 함께 사용하는 복합형 구성을 채택하여 베어링의 하중 지지력을 증가시키는 할바크 배열을 응용한 고온초전도 저널베어링의 기술인 것이다.본 기술은 고온초전도 저널베어링에 있어서 축 재료의 자성에 대한 제약과 조립상의 난점을 해결함과 동시에 반경 방향으로 강한 자기 압력을 얻을 수 있고, 고온초전도 저널베어링은 회전자축 주위에 축 방향과 반경 방향으로 자화된 자석을 끼워서 구성되는 회전자 저널과, 자속을 고정하는 성질이 있는 고온초전도체로 이루어진 고정자를 구성하며, 고정자는, 회전체의 하중을 받는 부분에 저널의 자석과 상호 척력을 발생하도록 배열되어 회전체의 하중을 지지하는 고정자 자석과, 그 나머지 부분에 설치되어 자속을 고정하는 고온초전도체로 구성되어질 수 있다. 이와 같이 구성되는 본 기술은 축 재료의 자성에 대한 제약과 조립상의 난점을 해결할 수 있게 함과 동시에, 반경 방향으로 강한 자기 압력을 얻을 수 있고, 고정자를 복합형으로 구성함으로써 회전체의 하중 지지력을 강화하며 자속고정 이탈에 의해 야기되는 자기부양 평형위치 이동 문제를 해결할 수 있다.