일반기술

에미터 공통전류 방식을 이용한 2GHz 대 전압 제어 발진기

본 기술은 에미터 공통전류 방식을 이용한 2GHz 대 전압 제어 발진기와 관련된 기술로서, 본 장치의 출력수단은 전 바이어스 전류를 공급하고, 증폭된 전력을 부하에 출력하며, 전압 분배 수단은 바이어스 전압을 입력받아 분배한다. 부성 저항 발생 수단은 전압 분배 수단과 병렬 연결되어 부성 저항을 발생하고, 증폭 수단은 발진된 전력을 입력받아 증폭하여 출력한다. 트랜지스터(Q1)는 베이스단자가 부성 저항 발생수단과 직렬, 증폭 수단과 병렬 연결되고, 콜렉터 단자가 접지 단자와 연결되며, 공진 수단은 트랜지스터(Q1)의 에미터 단자와 병렬 연결되어 조정 전압을 입력받아 그 변화에 따라 공진 주파수를 변화시킨다.이동 통신용 전압 제어 발진기는 반송파 대 잡음비(C/N)의 값이 낮아야 하며, 전류의 소모가 적어야 하고, 휴대를 위해 소형화 및 경량화 되어야 한다. 900MHz 근처의 이러한 복합적인 사양을 만족시키는 전압 제어 발진기로는 에미터 전류를 공통으로 하는 2개의 양극성 트랜지스터로 이뤄진 전압 제어발진기가 널리 사용된다. 하지만, 이러한 기존의 전압 제어 발진기는 고주파수에서 트랜지스터의 부성 저항이 급격히 저하되어 발진 주파수를 높이는데 한계가 있었다. 그러나, 본 기술은 앞서 언급한 기존의 전압 제어 발진기 구조를 변경하여 휴대 통신용 2GHz대의 비교적 높은 주파수에서도 발진이 가능한 전압 제어 발진기를 제시하였다. 따라서, 본 기술의 전압 제어 발진기는 적당한 파라미터의 선택을 통하여 발진주파수를 원하는 대역까지 높일 수 있도록 하였다. 즉, 외부에서 연결하는 궤환 인덕턴스(Lf)의 크기를 조정하여 원하는 발진 주파수 대역까지 올릴 수 있는 구조이다.