일반기술

바이 펫 및 그 제조 방법

본 기술은 BiFET 및 그 제조방법 중 선택적 에피택시 성장법을 이용하여 형성된 J-FECFET과 HBT를 한 기판위에 집적해서 BiFET는 한번의 에피성장으로 각 층들이 형성될 때 각각의 소자가 최적의 성능을 보이기 어려웠으며, 제작 공정이 복잡하여 수율이 떨어지며 재현성이 낮은 문제점을 선택적 에피 성장법에 의해 개선하여, 각 소자의 동작 특성을 향상시키고 ,제작 공정이 간단하고 재현성이 우수한 이종 접합 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 하나의 기판 상에 편성되어 있는 BiFET의 제조방법이다.이종접합 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 하나의 기판상에 편성되어 있는 바이 펫에 있어서, BiFET은, 반절연 반도체 기판 한쪽에 형성되어 있는 HBT와, 타측에 형성되어 있는 오믹층과 채널층 및 게이트층 이것의 하부의 일정 두께에 형성되어 있는 삼각 형상의 J-FECFET 공동부를 가진다.HBT와 접합 부동 전자 채널 FET를 형성하되, 반절연 반도체 기판상에 일정 방향의 유전체막 패턴을 형성한 후에 선택적 에피택시 성장 방법으로 오믹층이 되는 서브콜렉터층과, 채널층이 되는 콜렉터층과, 게이트층이 되는 베이스층과, 에미터층 및 에미터캡층을 순차적으로 형성하고, 후속 공정을 진행하여 삼각 형상의 공동을 주요 특징으로 하는 J-FECFET과 통상의 HBT를 집적한 기판이다. 본 기술에 따른 BiFET 및 그 제조 방법은 선택적 에피택시 성장법을 이용하여 형성된 공동을 주요 특징으로 하는 J-FECFET과 통상의 HBT를 한 기판위에 집적하였으므로, 제작 공정이 간단하고 수율이 향상되고 각 소자의 동작 특성이 향상되는 이점이 있다.