일반기술

화산형 전계 방출 소자 제조 방법

본 기술은 화산형 전계 방출 소자 제조 방법에 대한 것으로, 전계 방출 팁은 다이아몬드상 카본을 코팅하여 저항이 낮고 재질이 단단하며 열전도가 좋아 수명이 길어지게 되며, 코팅이 된 팁의 조정 거리에 게이트를 형성하여 낮은 게이트 전압으로 팁에서 방출되는 전류를 조절 가능한 화산형 실리콘 전계 방출 소자 제조 방법이다. 반도체 팁을 형성하여 이 팁의 탑 부위를 산화시켜 다이아몬드상 카본막을 형성하고 이에 절연막을 형성하여 이 절연막 상에 게이트용 금속막을 형성한다. 전체 구조를 덮도록 감광막을 도포하고 금속막이 나타나도록 에치백하여 게이트가 형성될 부위만에 잔류 감광막 패턴을 형성한다.이를 마스트로 하여 노출된 금속막, 절연막을 식각하고 이 패턴을 제거하여 화산형 전계 방출 소자를 제조한다.전계 방출 이극관에 빛이 쪼이면 음극의 팁과 아노드의 비대칭 전기장 때문에 정류 현상이 일어나는데 이 현상을 이용하여 만들어진 초기 방법은 실리콘 전계 방출 팁은 저항이 높고 재질이 무르며 열전도가 나빠 팁의 수명이 길지 못하다. 또한 전계 방출 효과가 떨어지는 문제점이 있었다.본 기술은 앞에서 언급한 문제점을 해결하기 위하여 전계 방출 팁의 재질을 단단하게 하고 열전도를 좋게 하며, 그 형상을 날카롭게 형성하는 화산형 전계 방출 소자 제조 방법을 제공하고, 전계 방출 팁을 게이트에 자기정렬 방식으로 형성되도록 하여 팁에서 방출되는 전류를 게이트 전압으로 조정 용이한 화산형 전계 방출 소자 제조 방법을 제공하는데 있다. 본 기술에 의해 제조되는 화산형 전계 방출 고사의 전계 방출 팁은 다이아몬드상 카본을 코팅하여 저항이 낮고 재질이 단단하며 열전도가 좋아 수명이 길어지게 된다. 또한 코팅 된 팁의 조정 거리에 게이트를 형성하여 낮은 게이트 전압으로 팁에서 방출되는 전류를 조절할 수 있다.