일반기술

아연산화물을 이용한 p-AlGaInN 화합물 반도체의 오믹접촉 투명전극층 형성방법

본 발명은 p-AlxGayInzN 화합물 반도체의 오믹접촉 투명전극층 형성방법에 관한 것으로서, 특히 아연산화물을 이용하는 p-AlxGayInzN 화합물 반도체의 오믹접촉 투명전극층 형성방법에 관한 것이다.* 본 기술의 적용제품, 경쟁 제품본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 발광다이오드, 태양전지 등의 분야에 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.* 본 기술의 중요성, 배경지식, 독창성본 발명은 발광다이오드 및 태양전지 등의 전극 제작에 필수 요소로서 우수한 전기적, 광학적, 열적 특성 내지는 친환경적으로 우수한 투명층전극으로 그 중요성이 증가하고 있다.* 본 기술의 구성본 기술은 아연산화물 적층, 열처리로 그 구성이 이루어지는 바 각 구성에 대한 내용은 다음과 같다. - 첫째, p-AlxGayInzN(0≤x, y, z≤1, x+y+z=1) 화합물 반도체층 상에 아연 산화물층을 적층하고 - 둘째, 상기 아연 산화물층이 p-AlxGayInzN 화합물 반도체층(120)에 오믹접촉되도록 상기 결과물을 100~1200℃의 온도범위에서 열처리하는 것을 특징으로 한다.* 본 기술의 중요성본 기술을 포함한 기술군은 현재 주로 발광다이오드, 태양전지 등의 분야에 분야에 응용되어 제품화 되고 있다.* 본 기술의 특징 및 장점 본 기술이 위 응용분야의 기존 기술보다 뛰어난 장점 및 특징은 다음과 같다. - 첫째, 우수한 전기적 특성 - 둘째, 우수한 광학적 특성 - 셋째, 풍부한 재료로써 저가격 - 넷째, 스퍼터링 방법으로 대면적화 가능